SI3424BDV-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI3424BDV-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.22341 | ￥3670.23 |
| 6000 | ￥1.105016 | ￥6630.10 |
| 15000 | ￥1.026086 | ￥15391.29 |
| 30000 | ￥1.002407 | ￥30072.21 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 19.6 nC
耗散功率 2.98 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3424BDV-GE3
单位重量 20 mg
SI3424BDV-T1-GE3 同类别型号
注
SI3424BDV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI3424BDV-T1-GE3、查询SI3424BDV-T1-GE3代理商；
SI3424BDV-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI3424BDV-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI3424BDV-T1-GE3
替代型号
、SI3424BDV-T1-GE3
数据手册PDF。
SI3424BDV-T1-GE3
型号：SI3424BDV-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.22341 |
| 6000+： | ￥1.105016 |
| 15000+： | ￥1.026086 |
| 30000+： | ￥1.002407 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00