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SI3424BDV-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI3424BDV-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 1.49624 4488.72
6000 1.351443 8108.66
15000 1.254911 18823.67
30000 1.225952 36778.56

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 8 A

漏源电阻 28 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 19.6 nC

耗散功率 2.98 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI3424BDV-GE3

单位重量 20 mg

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SI3424BDV-T1-GE3

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型号:SI3424BDV-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥1.49624
6000+: ¥1.351443
15000+: ¥1.254911
30000+: ¥1.225952

货期:1-2天

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