SI5513CDC-T1-E3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI5513CDC-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.900367 | ￥7.90 |
| 10 | ￥6.770006 | ￥67.70 |
| 100 | ￥5.053804 | ￥505.38 |
| 500 | ￥3.970846 | ￥1985.42 |
| 1000 | ￥3.068381 | ￥3068.38 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A, 3.7 A
漏源电阻 55 mOhms, 150 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 4.2 nC, 5.6 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 8 ns
正向跨导（Min） 12 S, 5 S
上升时间 9 ns, 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 18 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 19 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5513CDC-E3
单位重量 85 mg
SI5513CDC-T1-E3 同类别型号
注
SI5513CDC-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SI5513CDC-T1-E3、查询SI5513CDC-T1-E3代理商；
SI5513CDC-T1-E3价格批发咨询客服；这里拥有
SI5513CDC-T1-E3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI5513CDC-T1-E3
替代型号
、SI5513CDC-T1-E3
数据手册PDF。
SI5513CDC-T1-E3
型号：SI5513CDC-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.900367 |
| 10+： | ￥6.770006 |
| 100+： | ￥5.053804 |
| 500+： | ￥3.970846 |
| 1000+： | ￥3.068381 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.90