货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥18.740773 | ¥18.74 |
10 | ¥16.794616 | ¥167.95 |
100 | ¥13.095716 | ¥1309.57 |
500 | ¥10.818472 | ¥5409.24 |
1000 | ¥8.540988 | ¥8540.99 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 19.5 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 27 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7106DN-GE3
单位重量 1 g
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0SI7106DN-T1-GE3
型号:SI7106DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.740773 |
10+: | ¥16.794616 |
100+: | ¥13.095716 |
500+: | ¥10.818472 |
1000+: | ¥8.540988 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.74