
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.487711 | ¥21.49 |
| 10 | ¥19.256294 | ¥192.56 |
| 100 | ¥15.015226 | ¥1501.52 |
| 500 | ¥12.404195 | ¥6202.10 |
| 1000 | ¥9.792887 | ¥9792.89 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 19.5 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 27 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7106DN-GE3
单位重量 1 g
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0SI7106DN-T1-GE3
型号:SI7106DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.487711 |
| 10+: | ¥19.256294 |
| 100+: | ¥15.015226 |
| 500+: | ¥12.404195 |
| 1000+: | ¥9.792887 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.49