QS6J11TR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.461625 | ￥4384.88 |
| 6000 | ￥1.384724 | ￥8308.34 |
| 9000 | ￥1.282148 | ￥11539.33 |
| 30000 | ￥1.269437 | ￥38083.11 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 600 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 35 ns
正向跨导（Min） 2 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS6J11
QS6J11TR 同类别型号
注
QS6J11TR
型号：QS6J11TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.461625 |
| 6000+： | ￥1.384724 |
| 9000+： | ￥1.282148 |
| 30000+： | ￥1.269437 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00