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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 7.9 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP45N06S4L-08 SP001028650 IPP45N6S4L8XK
单位重量 2 g
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0IPP45N06S4L08AKSA2
型号:IPP45N06S4L08AKSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
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