货期:(7~10天)
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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10 | ¥4.19788 | ¥41.98 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 4.7 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.7 ns
上升时间 5.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 8.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6E050AJ
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0RQ6E050AJTCR
型号:RQ6E050AJTCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
10+: | ¥4.19788 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00