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ZXMN6A25DN8TA

DIODES(美台)
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制造商编号:
ZXMN6A25DN8TA
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 16.258108 16.26
10 14.496812 144.97
100 11.302772 1130.28

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 5 A

漏源电阻 50 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 20.4 nC

耗散功率 2.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 10.6 ns

上升时间 4 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 26.2 ns

典型接通延迟时间 3.8 ns

外形参数

高度 1.5 mm

长度 5 mm

宽度 4 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 750 mg

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ZXMN6A25DN8TA

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型号:ZXMN6A25DN8TA

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥16.258108
10+: ¥14.496812
100+: ¥11.302772

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