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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Renesas Electronics
商标 Renesas Electronics
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 190 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 2.65 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0NP36P06SLG-E1-AY
型号:NP36P06SLG-E1-AY
品牌:INTERSIL/RECTIFIER
供货:锐单
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