NTHC5513T1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

产品 MOSFET Small Signal

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 3.9 A

漏源电阻 80 mOhms, 155 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 600 mV, 1.2 V

栅极电荷 4 nC, 6 nC

耗散功率 1.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 3 ns, 27 ns

正向跨导（Min） 6 S

上升时间 9 ns, 13 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 10 ns, 33 ns

典型接通延迟时间 5 ns, 7 ns

高度 1.05 mm

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 85 mg