
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥54.739181 | ¥54.74 |
| 10 | ¥49.445722 | ¥494.46 |
| 100 | ¥40.935174 | ¥4093.52 |
| 500 | ¥35.645871 | ¥17822.94 |
| 1000 | ¥31.046413 | ¥31046.41 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 96 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 145 nC
耗散功率 600 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 40 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHT HiPerFET Power MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXFH96N20P
型号:IXFH96N20P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥54.739181 |
| 10+: | ¥49.445722 |
| 100+: | ¥40.935174 |
| 500+: | ¥35.645871 |
| 1000+: | ¥31.046413 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥54.74