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SI7288DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7288DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :144420

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 19.768774 19.77
10 17.673521 176.74
100 13.776587 1377.66
500 11.380658 5690.33
1000 8.98473 8984.73

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 20 A

漏源电阻 19 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 15 nC

耗散功率 15.6 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 8 ns

正向跨导(Min) 39 S

上升时间 8 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 14 ns

典型接通延迟时间 7 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7288DP-GE3

单位重量 506.600 mg

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SI7288DP-T1-GE3

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型号:SI7288DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:144420 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥19.768774
10+: ¥17.673521
100+: ¥13.776587
500+: ¥11.380658
1000+: ¥8.98473

货期:7-10天

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