货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 478 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 63 W
通道模式 Enhancement
下降时间 10 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB65R225C7 SP002447552
单位重量 324 mg
购物车
0IPB65R225C7ATMA2
型号:IPB65R225C7ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00