货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7.3 A
漏源电阻 540 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 20.5 nC
耗散功率 63 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R600C6 SP001117726
单位重量 330 mg
购物车
0IPD60R600C6ATMA1
型号:IPD60R600C6ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00