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DMT10H025SSS-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMT10H025SSS-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFETN-CHAN 100V SO-8
渠道:
digikey

库存 :2487

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 7.290054 7.29
10 6.388064 63.88
25 5.995142 149.88
100 4.351792 435.18
250 4.197589 1049.40
500 3.636625 1818.31
1000 3.094937 3094.94

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 7.4 A

漏源电阻 23 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 21.4 nC

耗散功率 12.9 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 13.7 ns

湿度敏感性 Yes

上升时间 11.2 ns

典型关闭延迟时间 27.5 ns

典型接通延迟时间 8.2 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 750 mg

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DMT10H025SSS-13

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型号:DMT10H025SSS-13

品牌:DIODES

供货:锐单

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单价:

1+: ¥7.290054
10+: ¥6.388064
25+: ¥5.995142
100+: ¥4.351792
250+: ¥4.197589
500+: ¥3.636625
1000+: ¥3.094937

货期:7-10天

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