SIS932EDN-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIS932EDN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.861456 | ￥8.86 |
| 10 | ￥7.607219 | ￥76.07 |
| 100 | ￥5.683604 | ￥568.36 |
| 500 | ￥4.465629 | ￥2232.81 |
| 1000 | ￥3.450652 | ￥3450.65 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 9.2 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 45 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SIS932EDN-T1-GE3 同类别型号
注
SIS932EDN-T1-GE3
型号：SIS932EDN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.861456 |
| 10+： | ￥7.607219 |
| 100+： | ￥5.683604 |
| 500+： | ￥4.465629 |
| 1000+： | ￥3.450652 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.86