
货期:国内(1~3工作日)
起订量:30
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 30 | ¥37.455515 | ¥1123.67 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 160 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 160 nC
耗散功率 830 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 65 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH160N15T
型号:IXTH160N15T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 30+: | ¥37.455515 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00