CSD87330Q3D
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.80269 | ￥3.80 |
| 10 | ￥3.310963 | ￥33.11 |
| 30 | ￥3.037781 | ￥91.13 |
| 100 | ￥2.72089 | ￥272.09 |
| 500 | ￥2.36029 | ￥1180.14 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 -
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V, 750 mV
栅极电荷 4.8 nC, 9.6 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.7 ns, 1.6 ns
正向跨导（Min） 76 S, 51 S
上升时间 6.8 ns, 7.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.4 ns, 9.1 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns, 4.5 ns
规格参数
开发套件 EVMK2GXS, EVMK2G, EVMK2GX
外形参数
高度 1.5 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 68 mg
CSD87330Q3D 同类别型号
注
CSD87330Q3D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD87330Q3D
数据手册PDF
。
CSD87330Q3D
型号：CSD87330Q3D
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.80269 |
| 10+： | ￥3.310963 |
| 30+： | ￥3.037781 |
| 100+： | ￥2.72089 |
| 500+： | ￥2.36029 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.80