货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.526182 | ¥16.53 |
10 | ¥14.769552 | ¥147.70 |
100 | ¥11.517478 | ¥1151.75 |
500 | ¥9.514228 | ¥4757.11 |
1000 | ¥7.511208 | ¥7511.21 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 165 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5.5 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 140 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.9 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 32 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 9.7 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFR15N20DTRPBF SP001555046
单位重量 330 mg
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0IRFR15N20DTRPBF
型号:IRFR15N20DTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.526182 |
10+: | ¥14.769552 |
100+: | ¥11.517478 |
500+: | ¥9.514228 |
1000+: | ¥7.511208 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.53