
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.592896 | ¥17.59 |
| 10 | ¥14.456772 | ¥144.57 |
| 100 | ¥12.015183 | ¥1201.52 |
| 500 | ¥9.908626 | ¥4954.31 |
| 1000 | ¥9.077324 | ¥9077.32 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 165 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5.5 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 140 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.9 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 32 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 9.7 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFR15N20DTRPBF SP001555046
单位重量 330 mg
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0IRFR15N20DTRPBF
型号:IRFR15N20DTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.592896 |
| 10+: | ¥14.456772 |
| 100+: | ¥12.015183 |
| 500+: | ¥9.908626 |
| 1000+: | ¥9.077324 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.59