货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥3.721343 | ¥11164.03 |
6000 | ¥3.544198 | ¥21265.19 |
9000 | ¥3.380585 | ¥30425.26 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 63 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 65.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SISS32DN-T1-GE3
型号:SISS32DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥3.721343 |
6000+: | ¥3.544198 |
9000+: | ¥3.380585 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00