GP1M004A090H
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- 制造商编号：
- GP1M004A090H
- 制造商：
- SEMIQ
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 900V 4A TO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
GP1M004A090H
制造商
SEMIQ
商品描述
MOSFET N-CH 900V 4A TO220
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4Ohm @ 2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
25nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
955pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
123W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
GP1M004A090H 同类别型号
注
GP1M004A090H品牌厂家：SEMIQ
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、GP1M004A090H
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GP1M004A090H
型号：GP1M004A090H
品牌：SEMIQ
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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