货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.072877 | ¥19.07 |
10 | ¥17.178054 | ¥171.78 |
25 | ¥16.210698 | ¥405.27 |
100 | ¥13.811006 | ¥1381.10 |
250 | ¥12.968558 | ¥3242.14 |
500 | ¥11.34724 | ¥5673.62 |
1000 | ¥9.402055 | ¥9402.06 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 -
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V, 750 mV
栅极电荷 4.8 nC, 9.6 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.7 ns, 1.6 ns
正向跨导(Min) 76 S, 51 S
上升时间 6.8 ns, 7.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.4 ns, 9.1 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns, 4.5 ns
开发套件 EVMK2GXS, EVMK2G, EVMK2GX
高度 1.5 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 68 mg
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0CSD87330Q3D
型号:CSD87330Q3D
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.072877 |
10+: | ¥17.178054 |
25+: | ¥16.210698 |
100+: | ¥13.811006 |
250+: | ¥12.968558 |
500+: | ¥11.34724 |
1000+: | ¥9.402055 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.07