货期: 8周-10周
起订量:38
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
38 | ¥4.383941 | ¥166.59 |
50 | ¥4.04667 | ¥202.33 |
100 | ¥3.709543 | ¥370.95 |
300 | ¥3.709543 | ¥1112.86 |
500 | ¥3.709543 | ¥1854.77 |
1000 | ¥3.372272 | ¥3372.27 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 8.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.4 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0ZXMN10A11KTC
型号:ZXMN10A11KTC
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
38+: | ¥4.383941 |
50+: | ¥4.04667 |
100+: | ¥3.709543 |
300+: | ¥3.709543 |
500+: | ¥3.709543 |
1000+: | ¥3.372272 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00