商品描述
MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
110mOhm @ 20A, 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
90.8nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1915pF @ 800V