货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥4.611411 | ¥13834.23 |
6000 | ¥4.380867 | ¥26285.20 |
15000 | ¥4.309729 | ¥64645.93 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A, 30 A
漏源电阻 9.3 mOhms, 5.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 26 nC, 48 nC
耗散功率 22 W, 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 13 ns
正向跨导(Min) 45 S, 71 S
上升时间 15 ns, 17 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 20 ns, 26 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7998DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SI7998DP-T1-GE3
型号:SI7998DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.611411 |
6000+: | ¥4.380867 |
15000+: | ¥4.309729 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00