货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥3.716232 | ¥9290.58 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 2.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 53 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 106.100 mg
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0CSD17576Q5B
型号:CSD17576Q5B
品牌:TI
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥3.716232 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00