货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥8.896336 | ¥8.90 |
10 | ¥7.574242 | ¥75.74 |
100 | ¥5.659057 | ¥565.91 |
500 | ¥4.446438 | ¥2223.22 |
1000 | ¥3.435839 | ¥3435.84 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.2 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 770 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
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0DMN2016LFG-7
型号:DMN2016LFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.896336 |
10+: | ¥7.574242 |
100+: | ¥5.659057 |
500+: | ¥4.446438 |
1000+: | ¥3.435839 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.90