SIA537EDJ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA537EDJ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
- 渠道：
- digikey
库存 ：13748
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V, 20 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 23 mOhms, 44 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 16 nC, 25 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 23 S, 11 S
上升时间 12 ns, 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 28 mg
SIA537EDJ-T1-GE3 同类别型号
注
SIA537EDJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
SIA537EDJ-T1-GE3
型号：SIA537EDJ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：13748 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00