货期:国内(1~3工作日)
起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
50 | ¥8.59489 | ¥429.74 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 205 A
漏源电阻 3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 75.6 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15.8 ns
上升时间 41.2 ns
典型关闭延迟时间 34.4 ns
典型接通延迟时间 13.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0DMT4003SCT
型号:DMT4003SCT
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
50+: | ¥8.59489 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00