APT31M100B2
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- APT31M100B2
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥76.335773 | ￥3816.79 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT31M100B2
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
包装
Tube
系列
POWER MOS 8™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
380mOhm @ 16A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
260nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
8500pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1040W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
T-MAX™ [B2]
封装/外壳
TO-247-3 Variant
APT31M100B2 同类别型号
注
APT31M100B2品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购APT31M100B2、查询APT31M100B2代理商；
APT31M100B2价格批发咨询客服；这里拥有
APT31M100B2中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到APT31M100B2
替代型号
、APT31M100B2
数据手册PDF
。
APT31M100B2
型号：APT31M100B2
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥76.335773 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00