货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥4.885541 | ¥3908.43 |
1600 | ¥3.979743 | ¥6367.59 |
2400 | ¥3.746436 | ¥8991.45 |
5600 | ¥3.568055 | ¥19981.11 |
20000 | ¥3.403352 | ¥68067.04 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 9.2 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF530NSTRLPBF SP001563332
单位重量 330 mg
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0IRF530NSTRLPBF
型号:IRF530NSTRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
800+: | ¥4.885541 |
1600+: | ¥3.979743 |
2400+: | ¥3.746436 |
5600+: | ¥3.568055 |
20000+: | ¥3.403352 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00