
货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ¥3.63773 | ¥2910.18 |
| 1600 | ¥3.345418 | ¥5352.67 |
| 2400 | ¥3.196295 | ¥7671.11 |
| 4000 | ¥3.028737 | ¥12114.95 |
| 5600 | ¥2.979177 | ¥16683.39 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 9.2 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF530NSTRLPBF SP001563332
单位重量 330 mg
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0IRF530NSTRLPBF
型号:IRF530NSTRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 800+: | ¥3.63773 |
| 1600+: | ¥3.345418 |
| 2400+: | ¥3.196295 |
| 4000+: | ¥3.028737 |
| 5600+: | ¥2.979177 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00