货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥18.664335 | ¥18.66 |
10 | ¥13.952355 | ¥139.52 |
100 | ¥10.970653 | ¥1097.07 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 9.2 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF530NSTRLPBF SP001563332
单位重量 330 mg
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0IRF530NSTRLPBF
型号:IRF530NSTRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.664335 |
10+: | ¥13.952355 |
100+: | ¥10.970653 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.66