货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.462799 | ¥13.46 |
10 | ¥8.414249 | ¥84.14 |
100 | ¥5.457024 | ¥545.70 |
500 | ¥4.185096 | ¥2092.55 |
1000 | ¥3.774786 | ¥3774.79 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.16 A
漏源电阻 47 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 7 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-E3
单位重量 8 mg
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0SI2306BDS-T1-E3
型号:SI2306BDS-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.462799 |
10+: | ¥8.414249 |
100+: | ¥5.457024 |
500+: | ¥4.185096 |
1000+: | ¥3.774786 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.46