货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥4.874435 | ¥12186.09 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 26.6 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 125 nC
耗散功率 6.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 42 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 42 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 42 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4477DY-GE3
单位重量 187 mg
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0SI4477DY-T1-GE3
型号:SI4477DY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥4.874435 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00