SI4477DY-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI4477DY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：1019
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.002016 | ￥20.00 |
| 10 | ￥16.358793 | ￥163.59 |
| 100 | ￥12.726999 | ￥1272.70 |
| 500 | ￥10.787945 | ￥5393.97 |
| 1000 | ￥8.787888 | ￥8787.89 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 26.6 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 125 nC
耗散功率 6.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 42 ns
正向跨导（Min） 10 S
上升时间 42 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 42 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4477DY-GE3
单位重量 187 mg
SI4477DY-T1-GE3 同类别型号
注
SI4477DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI4477DY-T1-GE3、查询SI4477DY-T1-GE3代理商；
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替代型号
、SI4477DY-T1-GE3
数据手册PDF。
SI4477DY-T1-GE3
型号：SI4477DY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1019 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.002016 |
| 10+： | ￥16.358793 |
| 100+： | ￥12.726999 |
| 500+： | ￥10.787945 |
| 1000+： | ￥8.787888 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.00