货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.445006 | ¥17.45 |
10 | ¥14.267524 | ¥142.68 |
100 | ¥11.10001 | ¥1110.00 |
500 | ¥9.40884 | ¥4704.42 |
1000 | ¥7.664465 | ¥7664.47 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 26.6 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 125 nC
耗散功率 6.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 42 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 42 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 42 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4477DY-GE3
单位重量 187 mg
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0SI4477DY-T1-GE3
型号:SI4477DY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.445006 |
10+: | ¥14.267524 |
100+: | ¥11.10001 |
500+: | ¥9.40884 |
1000+: | ¥7.664465 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.45