US6J2TR
库存 ：5954
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.203614 | ￥8.20 |
| 10 | ￥7.193939 | ￥71.94 |
| 100 | ￥5.515354 | ￥551.54 |
| 500 | ￥4.359528 | ￥2179.76 |
| 1000 | ￥3.487672 | ￥3487.67 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
US6J2TR
制造商
ROHM(罗姆)
商品描述
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
390mOhm @ 1A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
150pF @ 10V
功率 - 最大值
1W
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装
TUMT6
US6J2TR 同类别型号
注
US6J2TR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、US6J2TR
数据手册PDF。
US6J2TR
型号：US6J2TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：5954 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.203614 |
| 10+： | ￥7.193939 |
| 100+： | ￥5.515354 |
| 500+： | ￥4.359528 |
| 1000+： | ￥3.487672 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.20