SI2301BDS-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI2301BDS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：21836
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.000706 | ￥7.00 |
| 10 | ￥5.943458 | ￥59.43 |
| 100 | ￥4.12756 | ￥412.76 |
| 500 | ￥3.222325 | ￥1611.16 |
| 1000 | ￥2.619122 | ￥2619.12 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 4.5 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 20 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2301BDS-T1-BE3 SI2301BDS-GE3
单位重量 8 mg
SI2301BDS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2301BDS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI2301BDS-T1-GE3
数据手册PDF。
SI2301BDS-T1-GE3
型号：SI2301BDS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：21836 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.000706 |
| 10+： | ￥5.943458 |
| 100+： | ￥4.12756 |
| 500+： | ￥3.222325 |
| 1000+： | ￥2.619122 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.00