CSD87335Q3D

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 25 A

漏源电阻 2.4 Ohms, 1.2 Ohms

栅极电压 - 8 V, + 10 V

栅源极阈值电压 1 V, 750 mV

栅极电荷 5.7 nC, 10.7 nC

耗散功率 6 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 4 ns, 5 ns

正向跨导（Min） 59 S, 107 S

上升时间 29 ns, 27 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 13 ns, 17 ns

典型接通延迟时间 8 ns, 8 ns

高度 1.5 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 67.100 mg