CSD87335Q3D
库存 ：4931
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.246697 | ￥19.25 |
| 10 | ￥17.273911 | ￥172.74 |
| 25 | ￥16.292329 | ￥407.31 |
| 100 | ￥13.88168 | ￥1388.17 |
| 250 | ￥13.034345 | ￥3258.59 |
| 500 | ￥11.405112 | ￥5702.56 |
| 1000 | ￥9.449888 | ￥9449.89 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 2.4 Ohms, 1.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V, 750 mV
栅极电荷 5.7 nC, 10.7 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 5 ns
正向跨导（Min） 59 S, 107 S
上升时间 29 ns, 27 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 8 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 67.100 mg
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注
CSD87335Q3D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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。
CSD87335Q3D
型号：CSD87335Q3D
品牌：TI
供货：锐单
库存：4931 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.246697 |
| 10+： | ￥17.273911 |
| 25+： | ￥16.292329 |
| 100+： | ￥13.88168 |
| 250+： | ￥13.034345 |
| 500+： | ￥11.405112 |
| 1000+： | ￥9.449888 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.25