NVB25P06T4G
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- 制造商编号：
- NVB25P06T4G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 27.5 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 15 V, + 15 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 120 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
NVB25P06T4G 同类别型号
注
NVB25P06T4G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NVB25P06T4G
数据手册PDF。
NVB25P06T4G
型号：NVB25P06T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
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