UT6K3TCR
库存 ：6784
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.220932 | ￥9.22 |
| 10 | ￥7.97486 | ￥79.75 |
| 100 | ￥5.521345 | ￥552.13 |
| 500 | ￥4.613706 | ￥2306.85 |
| 1000 | ￥3.926622 | ￥3926.62 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 30 mOhms, 30 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.1 ns, 5.1 ns
正向跨导（Min） 2.3 S, 2.3 S
上升时间 5.8 ns, 5.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 13 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns, 7.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 UT6K3
单位重量 771.020 mg
UT6K3TCR 同类别型号
注
UT6K3TCR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、UT6K3TCR
数据手册PDF。
UT6K3TCR
型号：UT6K3TCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：6784 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.220932 |
| 10+： | ￥7.97486 |
| 100+： | ￥5.521345 |
| 500+： | ￥4.613706 |
| 1000+： | ￥3.926622 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.22