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数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥1.859107 | ¥4647.77 |
5000 | ¥1.730863 | ¥8654.32 |
12500 | ¥1.666741 | ¥20834.26 |
25000 | ¥1.602691 | ¥40067.28 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.1 A, 3.1 A
漏源电阻 55 mOhms, 130 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 20.8 nC, 9.5 nC
耗散功率 1.56 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.3 nS, 26.1 nS
上升时间 1.8 ns, 6.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20.1 nS, 58.7 nS
典型接通延迟时间 3.6 nS, 3.7 nS
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMC6040SSD-13
型号:DMC6040SSD-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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2500+: | ¥1.859107 |
5000+: | ¥1.730863 |
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