货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.862369 | ¥15.86 |
10 | ¥14.193269 | ¥141.93 |
100 | ¥11.070514 | ¥1107.05 |
500 | ¥9.145012 | ¥4572.51 |
1000 | ¥7.219746 | ¥7219.75 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 77 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 105 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIRA04DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIRA04DP-T1-GE3
型号:SIRA04DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.862369 |
10+: | ¥14.193269 |
100+: | ¥11.070514 |
500+: | ¥9.145012 |
1000+: | ¥7.219746 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.86