货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥66.532844 | ¥66.53 |
10 | ¥57.050086 | ¥570.50 |
100 | ¥47.540276 | ¥4754.03 |
500 | ¥41.947131 | ¥20973.57 |
1000 | ¥37.752418 | ¥37752.42 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 61 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 201 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW60R045P7 SP001866186
单位重量 6 g
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0IPW60R045P7XKSA1
型号:IPW60R045P7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥66.532844 |
10+: | ¥57.050086 |
100+: | ¥47.540276 |
500+: | ¥41.947131 |
1000+: | ¥37.752418 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥66.53