SI5936DU-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI5936DU-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.889134 | ￥7.89 |
| 10 | ￥6.953708 | ￥69.54 |
| 100 | ￥5.331928 | ￥533.19 |
| 500 | ￥4.215052 | ￥2107.53 |
| 1000 | ￥3.372042 | ￥3372.04 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 10.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 11 S
上升时间 65 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 85 mg
SI5936DU-T1-GE3 同类别型号
注
SI5936DU-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI5936DU-T1-GE3
数据手册PDF。
SI5936DU-T1-GE3
型号：SI5936DU-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.889134 |
| 10+： | ￥6.953708 |
| 100+： | ￥5.331928 |
| 500+： | ￥4.215052 |
| 1000+： | ￥3.372042 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.89