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制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 82 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 41 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 0.75 mm
长度 3 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 85 mg
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0SI5948DU-T1-GE3
型号:SI5948DU-T1-GE3
品牌:SILICONIX
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