搜索

DMN21D2UFB-7B

DIODES(美台)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
DMN21D2UFB-7B
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:10000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
10000 0.51927 5192.70
30000 0.512563 15376.89
50000 0.43555 21777.50
100000 0.428844 42884.40

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 760 mA

漏源电阻 600 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 400 mV

栅极电荷 930 pC

耗散功率 380 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 9.8 ns

上升时间 4.2 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 19.6 ns

典型接通延迟时间 3.5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 80 mg

DMN21D2UFB-7B 相关产品

DMN21D2UFB-7B品牌厂家:DIODES ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购DMN21D2UFB-7B、查询DMN21D2UFB-7B代理商; DMN21D2UFB-7B价格批发咨询客服;这里拥有 DMN21D2UFB-7B中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到DMN21D2UFB-7B 替代型号 、DMN21D2UFB-7B 数据手册PDF

购物车

DMN21D2UFB-7B

锐单logo

型号:DMN21D2UFB-7B

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

10000+: ¥0.51927
30000+: ¥0.512563
50000+: ¥0.43555
100000+: ¥0.428844

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00