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起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10000 | ¥0.51927 | ¥5192.70 |
30000 | ¥0.512563 | ¥15376.89 |
50000 | ¥0.43555 | ¥21777.50 |
100000 | ¥0.428844 | ¥42884.40 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 760 mA
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 930 pC
耗散功率 380 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.8 ns
上升时间 4.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19.6 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN21D2UFB-7B
型号:DMN21D2UFB-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥0.51927 |
30000+: | ¥0.512563 |
50000+: | ¥0.43555 |
100000+: | ¥0.428844 |
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