货期:国内(1~3工作日)
起订量:30
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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30 | ¥48.446932 | ¥1453.41 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 115 nC
耗散功率 270 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0TK35N65W5,S1F
型号:TK35N65W5,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
30+: | ¥48.446932 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00