货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.735073 | ¥4.74 |
10 | ¥3.327012 | ¥33.27 |
100 | ¥1.678459 | ¥167.85 |
500 | ¥1.48781 | ¥743.91 |
1000 | ¥1.15785 | ¥1157.85 |
2000 | ¥1.03636 | ¥2072.72 |
5000 | ¥1.013057 | ¥5065.29 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 760 mA
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 930 pC
耗散功率 380 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.8 ns
上升时间 4.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19.6 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN21D2UFB-7B
型号:DMN21D2UFB-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.735073 |
10+: | ¥3.327012 |
100+: | ¥1.678459 |
500+: | ¥1.48781 |
1000+: | ¥1.15785 |
2000+: | ¥1.03636 |
5000+: | ¥1.013057 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.74