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DMN21D2UFB-7B

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN21D2UFB-7B
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
渠道:
digikey

库存 :54090

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 4.735073 4.74
10 3.327012 33.27
100 1.678459 167.85
500 1.48781 743.91
1000 1.15785 1157.85
2000 1.03636 2072.72
5000 1.013057 5065.29

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 760 mA

漏源电阻 600 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 400 mV

栅极电荷 930 pC

耗散功率 380 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 9.8 ns

上升时间 4.2 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 19.6 ns

典型接通延迟时间 3.5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 80 mg

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型号:DMN21D2UFB-7B

品牌:DIODES

供货:锐单

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1+: ¥4.735073
10+: ¥3.327012
100+: ¥1.678459
500+: ¥1.48781
1000+: ¥1.15785
2000+: ¥1.03636
5000+: ¥1.013057

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