
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.715164 | ¥8.72 |
| 10 | ¥7.500757 | ¥75.01 |
| 100 | ¥5.19481 | ¥519.48 |
| 500 | ¥4.340438 | ¥2170.22 |
| 1000 | ¥3.694088 | ¥3694.09 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.05 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
购物车
0CSD25202W15
型号:CSD25202W15
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.715164 |
| 10+: | ¥7.500757 |
| 100+: | ¥5.19481 |
| 500+: | ¥4.340438 |
| 1000+: | ¥3.694088 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.72