EPC2106
库存 ：65000
货期：（7~10天）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥10.377911 | ￥25944.78 |
| 5000 | ￥9.987766 | ￥49938.83 |
| 12500 | ￥9.657058 | ￥120713.22 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2106
制造商
EPS
商品描述
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
70mOhm @ 2A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 600µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
0.73nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
75pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
Die
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注
EPC2106
型号：EPC2106
品牌：EPS
供货：锐单
库存：65000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥10.377911 |
| 5000+： | ￥9.987766 |
| 12500+： | ￥9.657058 |
货期：7-10天
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